TSM1NB60CW RPG
| 工場モデル | TSM1NB60CW RPG |
|---|---|
| メーカー | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223 |
| パッケージ | SOT-223 |
| 株式 | 189609 pcs |
| データシート | TSM1NB60SOT-223/ TO-252/ TO-251 Datasheet 10/Oct/2022 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.552 | $0.493 | $0.385 | $0.318 | $0.251 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10Ohm @ 500mA, 10V |
| 電力消費（最大） | 39W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 138 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.1 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1A (Tc) |
| 基本製品番号 | TSM1NB60 |
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